| 1. Орлова, М. Н. Микроэлектроника : лаб. практикум / М. Н. Орлова. — М. : Изд-во МИСиС, 2010. — 76с. : рис. + Библиогр.: с. 76. — Режим доступа : http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=492975. — Пособие МИСиС. | 1.00 |
| 2. Мильвидский, М. Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников / М. Г. Мильвидский. — М. : Металлургия, 1985. — 159 с. : ил. + Библиогр.: с. 153-159 (272 назв.). : руб. 1.80. | 1.00 |
| 3. Крапухин, В. В. Теоретические основы технологии полупроводниковых материалов. Ч. 2 : лаб. практикум для студ. спец. 0643 / В. В. Крапухин. — М. : Учеба, 1986. — 95с. — Режим доступа : http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=39541. — Пособие МИСиС : руб. 0.14. | 1.00 |
| 4. Технология многослойных структур для микроэлектроники : лаб. практикум для суд. спец. 0643 -'Технология спец. материалов электронной техники' специализация 'Материалы для микроэлектроники' / В. В. Крапухин. — М. : Учеба, 1987. — 120с. — Режим доступа : http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=112281. — Пособие МИСиС : руб. 0.20. | 1.00 |
| 5. Овчинников, В. В. Технология многослойных структур для микроэлектроники: Разд.: Термический и электролитический методы получения оксидных пленок / В. В. Овчинников. — М. : Изд-во МИСиС, 1992. — Режим доступа : http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=88337. — Пособие МИСиС. | 1.00 |
| 6. Уфимцев, В. Б. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии / В. Б. Уфимцев. — М. : Металлургия, 1983. — 222 с. : ил. + Библиогр.: с.214-222. : руб. 2.60. | 1.00 |
| 7. Крапухин, В. В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов : Учебник для студ. вузов по спец. 'Технология спец. материалов электронной техники' / В. В. Крапухин. — М. : Металлургия, 1982. — 352 с. : ил. + Библиогр.: с.351-352. : руб. 1.10. | 1.00 |
