Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник индексов УДК
К списку индексов УДК
Доступно
1 из 1
Доступно
1 из 1
621.315.5:548.25(043.3)
Сортировать по: заглавиюдате издания
Доступно
1 из 1
Диссертация
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников,
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников,
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Заказать 
На полку Доступно
1 из 1
Автореферат
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный