Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Байдусь, Н. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Звонков, Б. Н.
Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства г...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дроздов, Ю. Н.
Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs/GaAs в условиях газофазной эпитаксии / Низко...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бедный, Б. И.
Сульфидная пассивация поверхности GaAs: открепление уровня Ферми
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бедный, Б. И.
Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бедный, Б. И.
Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Карпович, И. А.
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бедный, Б. И.
Электронные состояния поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бедный, Б. И.
Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на люкс-вольтовые характеристики поверхно...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Карпович, И. А.
Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бедный, Б. И.
Фотопроводимость и конденсаторная фотоэдс в дельта-легированных слоях GaAs / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Карпович, И. А.
Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Байдусь, Н. В.
Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл-квантово-размерный полупроводник I...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Байдусь, Н. В.
Сине-зеленое излучение в полупроводниковых лазерах с квантовыми ямами на основе GaAs / Физика пол...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Байдусь, Н. В.
Транспортные свойста гетероструктур InGaAs/GaAs с δ-легированными квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Хазанова, С. В.
Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Тихов, С. В.
Определение концентрации и подвижности электронов в окресности квантовой ямы и b-слоя Si в гетеро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Тихов, С. В.
Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAIAs/InP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Байдусь, Н. В.
Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вайнберг, В. В.
Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs со связанными квантов...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку