Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Фетисова, Н. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Гордеев, Н. Ю.
Волноводные фотоприемники в системе InGaAsP/InP для измерения автокорреляционных функций излучени...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных InGaAsP/InP-гетероструктур (лямбда ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP/...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетерост...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Петрунов, А. Н.
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку