Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Станкевич, А. Л.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельно...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Домашевская, Э. П.
Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / По...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баженов, Н. Л.
Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах / Физика полупроводниковых пр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные лазеры(лямбда = 940-980 нм) на основе ассиметричной GaInAs/GaInAsP/AlGaAs / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (гамма = 1.10-1.8 мкм) в импульсном режиме г...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Середин, П. В.
Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (10...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерям...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на дл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри-Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Середин, П. В.
Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z/GaAs(...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, И. С.
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (λ=1010-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, И. С.
Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (λ=1050-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Середин, П. В.
Свойства эпитаксиальных твердых растворов, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
б.г.
ISBN отсутствует

На полку