Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Свешников, Ю. Н.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Книга (аналит. описание)
Мокеров, В. Г.
30. AlGaN/GaN-СВЧ НЕМТ-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой уси...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Беляев, А. Е.
Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Al-Ti-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Беляев, А. Е.
Исследование методом электроотражения влияния Ý-облучения на оптические свойства эпитаксиальных п...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кольцов, Г. И.
Контакты Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям GaAs для детекторов частиц и квантов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Беляев, А. Е.
О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вигдорович, Е. Н.
Особенности хлоридно-гидридной эпитаксии GaN / Материаловедение и технология. Полупроводники
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Беляев, А. Е.
Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых гамма-облуче...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Беляев, А. Е.
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кладько, В. П.
Структурные дефекты на гетерограницах и фотолюминисцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и Al...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вигдорович, Е. Н.
Физико-химические аспекты образования нейтральных (А-Н)0-комплексов GaN / Материаловедение и техн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вигдорович, Е. Н.
Формирование состава твердых растворов Ga(1-x)InxN и Ga(1-x)AlxN в процессе МОС-гидридной эпитакс...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку