Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Шерстнев, В. В.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Попов, А. А.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 м...
б.г.
ISBN отсутствует
Попов, А. А.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 м...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баранов, А. Н.
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует
Баранов, А. Н.
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баранов, А. Н.
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
б.г.
ISBN отсутствует
Баранов, А. Н.
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Афраилов, М. А.
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Афраилов, М. А.
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баранов, А. Н.
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs(1-x-y)SbxPy/InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Баранов, А. Н.
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs(1-x-y)SbxPy/InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шерстнев, В. В.
Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Шерстнев, В. В.
Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кабанов, В. В.
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Кабанов, В. В.
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует