Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Растегаева, М. Г.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
На полку
Статья
Кузнецов, А. Н.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
б.г.
ISBN отсутствует
Кузнецов, А. Н.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Электролюминесценция 6H-SiCp-n-структур, легированных алюминием
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Электролюминесценция 6H-SiCp-n-структур, легированных алюминием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шашкин, И. С.
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (λ=1010-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует
Шашкин, И. С.
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (λ=1010-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует