Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Михайлова, М. П.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Статья
Журтанов, Б. Е.
Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb / Физика ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лагунова, Т. С.
Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктура...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Стоянов, Н. Д.
Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа n-GaSb/p-GaSb/n-GaInAs...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, И. А.
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Михайлова, М. П.
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Гетеропереходы II типа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, И. А.
Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y с составом вблизи границы о...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баженов, Н. Л.
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, С. В.
Инжекционный ИК лазер (лямбда=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb/CdM...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бреслер, М. С.
Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением, в изотипной гетероструктуре p-...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, И. А.
Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Магнитотранспорт в полуметаллическом канале в гетероструктурах p-Ga1-xInxAsxSb1-x/p-InAs с различ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GaInAsSb/InAs и GaInAsSb/GaSb / Эл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Журтанов, Б. Е.
Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Михайлова, М. П.
Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереход...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе о...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Особенности энергетического спектра и квантового магнетотранспорта в гетеропереходах II типа / Ни...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соловьев, В. А.
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур / Атомная структура и неэлектр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Емельяненко, О. В.
Роль Д.Н. Наследова в становлении и развитии физики и техники полупроводников A(валентность III)В...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, И. А.
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Калинина, К. В.
Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными ба...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Чарыков, Н. А.
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники. I. Термодинами...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Афраилов, М. А.
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167