Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Самсонова, Т. П.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Иванов, П. А.
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует