Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Аникин, М. М.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует