Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Стусь, Н. М.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Гусев, О. Б.
Переход от гетероструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кудрявцев, Ю. А.
Сульфидная пассивация поверхности арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений А3В5
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb / Полупроводниковы...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Михайлова, М. П.
Фотодиоды на основе твердых растворов InAs(1-x)Sbx для спектрального диапазона 3-5 мкм
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полу...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Люминесценция лямбда=6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb / Полупроводниковые структуры...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb / Физика полупроводниковых приб...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Карандашев, С. А.
Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ильинская, Н. Д.
Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2024  v.20.167