Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Ломако, В. М.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Кольченко, Т. И.
Диагностика пленок арсенида галлия, выращенных методом атомно-слоевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кучинский, П. В.
Влияние нитридизации на радиационное изменение электрофизических свойств МДП структур на основе к...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кольченко, Т. И.
Новый метастабильный центр в облученном GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кучинский, П. В.
Особенности возникновения и свойства дефектов в n-кремнии после облучения и последующего термичес...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Быковский, В. А.
Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванюкович, В. А.
Низкотемпературное облучение арсенида галлия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кольченко, Т. И.
Модификация центра Е3 в облученном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, И. А.
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой около 100 а.е.м. и энергией до 100 Мэ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Козловский, В. В.
Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванюкович, В. А.
Структура пиков Е4 и Е5 в n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кольченко, Т. И.
Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванюкович, В. А.
Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Быковский, В. А.
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs:In, полученных хлоридным методом
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, И. А.
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой около 100 а.е.м. и энергией до 100 Мэ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андриевский, В. Ф.
Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Козловский, В. В.
Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кучинский, П. В.
Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных де...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Козловский, В. В.
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Козловский, В. В.
Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галлия при высокотемпературном облучении эл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кольченко, Т. И.
Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых подложках, методами фотолюминесце...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167