Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
1 из 1
Козловский, В. В.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Козловский, В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Обзоры
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Обзоры
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дидик, В. А.
Профили трасмутантов, образованных в цирконии при облучении протонами и ядрами 4He / Воздействие ...
б.г.
ISBN отсутствует
Дидик, В. А.
Профили трасмутантов, образованных в цирконии при облучении протонами и ядрами 4He / Воздействие ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дидик, В. А.
Распределение изотопов, образованных в арсениде галлия при облучении высокоэнергетичными протонам...
б.г.
ISBN отсутствует
Дидик, В. А.
Распределение изотопов, образованных в арсениде галлия при облучении высокоэнергетичными протонам...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. В.
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, В. В.
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дидик, В. А.
Профили изотопов, образованных в полупроводниковых соединениях А3В5 при облучении высокоэнергетич...
б.г.
ISBN отсутствует
Дидик, В. А.
Профили изотопов, образованных в полупроводниковых соединениях А3В5 при облучении высокоэнергетич...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дидик, В. А.
Профили изотопов, созданных в арсениде галлия под действием а-частиц с энергией 12,16 и 20 МэВ / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Дидик, В. А.
Профили изотопов, созданных в арсениде галлия под действием а-частиц с энергией 12,16 и 20 МэВ / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. В.
Компенсация проводимости n-GaAs<Yb> радиационными дефектами / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, В. В.
Компенсация проводимости n-GaAs<Yb> радиационными дефектами / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Доступно
1 из 1
Книга
Козловский, В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов
Наука, 2003 г.
ISBN 5-02-024988-2
Библиотека МИСиС : Научный
Козловский, В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов
Наука, 2003 г.
ISBN 5-02-024988-2
Библиотека МИСиС : Научный
Статья
Дидик, В. А.
Профили трансмутационных изотопов, образованных в германии облучением протонами и ядрами гелия / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Дидик, В. А.
Профили трансмутационных изотопов, образованных в германии облучением протонами и ядрами гелия / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. В.
Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, В. В.
Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. В.
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, В. В.
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Аракелян, Б. М.
Влияние гамма-облучения на кинетику восстановления окислов железа
б.г.
ISBN отсутствует
Аракелян, Б. М.
Влияние гамма-облучения на кинетику восстановления окислов железа
б.г.
ISBN отсутствует