Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Шмарцев, Ю. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Воробьева, В. В.
Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов-расплавов в галлии и висмуте ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
3 из 3

Книга

Фотоприемнмкм и фотопреобразователи: Сб. науч. тр.
Наука, 1986 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
2 из 2

Книга

Квантовый эффект Холла
Мир, 1986 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Голубев, В. Г.
Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пышная, Н. Б.
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ле Туан
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раство...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Каваляускас, Ю.
Модуляционные спектры структур легированных квантовых ям GaAs-Al0.3Ga0.7As
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверин, С. В.
Фотодиодные МПМ структуры с низкой величиной плотности темнового тока
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Макарова, Т. Л.
Эллипсометрическое исследование анодного окисла на твердых растворах Ga1-xAlxAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гермогенов, В. П.
Подавление 'природных' акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Быковский, В. А.
Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акимченко, И. П.
Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лубышев, Д. И.
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астрова, Е. В.
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Емцев, В. В.
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Абрамов, В. С.
Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной прим...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Денисов, В. Н.
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку