Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Шмарцев, Ю. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Воробьева, В. В.
Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов-расплавов в галлии и висмуте ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Доступно
 3 из 3
Книга

Фотоприемнмкм и фотопреобразователи: Сб. науч. тр.
Наука, 1986 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Доступно
 2 из 2
Книга

Квантовый эффект Холла
Мир, 1986 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Статья
Голубев, В. Г.
Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пышная, Н. Б.
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ле Туан
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раство...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Каваляускас, Ю.
Модуляционные спектры структур легированных квантовых ям GaAs-Al0.3Ga0.7As
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверин, С. В.
Фотодиодные МПМ структуры с низкой величиной плотности темнового тока
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Макарова, Т. Л.
Эллипсометрическое исследование анодного окисла на твердых растворах Ga1-xAlxAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Гермогенов, В. П.
Подавление 'природных' акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Быковский, В. А.
Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акимченко, И. П.
Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лубышев, Д. И.
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемо...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Астрова, Е. В.
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Емцев, В. В.
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Абрамов, В. С.
Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной прим...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Денисов, В. Н.
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167