Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Потапов, А. С.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Книга (аналит. описание)
Чернявский, К. С.
Автоматизированная микроскопическая методика определения объемной доли избыточных фаз и пористост...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Потапов, А. С.
Люминесцентные свойства празеодима в некоторых фторидах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лисов, В. И.
Система начального и среднего профессионального образования Москвы и проблема подготовки инженерн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Низкотемпературный (77К) примесный пробой в 4H-SiC p-типа / Электронные и оптические свойства пол...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики изотипных переходов SiC-SiC, изготовленных методом прямого твердофа...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Чернявский, К. С.
Исследование изменений морфологии и дисперсности порошковых материалов в процессе получения вольф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Потапов, А. С.
Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационар...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-Sic-диодов с барьером Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует

На полку