Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Акчурин, Р. Х.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Акчурин, Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Информационно-расчетная система для компьютерного моделирования процессов жидкофазной эпитаксии /...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Доступно
 4 из 4
Книга

Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями
Металлургия, 1987 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Нитрид галлия - перспективный материал электронной техники. Ч.1. Фундаментальные свойства нитрида...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Доступно
 3 из 3
Книга
Уфимцев, В. Б.
Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии
Металлургия, 1983 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Компьютерное моделирование геометрических параметров свободной поверхности расплавленной зоны на ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb-Bi в связи с жидкофазной эпитаксией твердых растворо...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAs1-x-ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi,Sn>, полученн...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Моделирование процесса низкотемпературной капиллярной жидкофазной эпитаксии гетероструктур Al(1-x...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
О возможности использования квазижидкого приближения приграничного слоя при моделировании МОС-гид...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние упругих напряжений на сегрегацию индия в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Стратейчук, Д. М.
Влияние состава пасты и режима термообработки на микроструктуру поликристаллических пленок CdS1-xSex
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Стратейчук, Д. М.
Влияние технологических особенностей получения поликристаллических пленок CdS1-xSex на их микрост...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Телегин, К. Ю.
Исследование влияния температуры роста квантово-размерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs на их из...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Производство полупроводниковых материалов: краткая история и современное состояние
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Акчурин, Р. Х.
Гениальные научные предсказания Д. И. Менделеева
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167