Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Степанов, М. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Данилова, А. П.
Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Доступно
 1 из 1
Книга

Экономическая география России: Учебник для студ. экон. спец.вузов
ИНФРА-М, 1999 г.
ISBN 5-86225-914-7
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Электрофизические свойства эпитаксиального арсенида индия и узкозонных твердых растворов на его о...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Пространственные колебания потока излучения в полосковых лазерах на основе гетеропереходов InAsSb...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соловьев, В. А.
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур / Атомная структура и неэлектр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Коротковолновая токовая перестройка лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, вызванная не...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилов, Т. Н.
Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Перестройка током длины волн излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb/InA...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Антипов, В. Г.
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs(001) с использованием гидразина
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Максимов, М. В.
Исследование квантово-размерных гетероструктур методом спектроскопии селективного возбуждения люм...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, В. М.
(AlGaAs/GaAs)-фотоприемники на подложках Si, полученные комбинированным методом жидкофазной и мол...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алексеев, А. В.
Особенности выращивания слоев нитридов III группы молекулярно-лучевой эпитаксией с использованием...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Александров, С. Б.
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы / Физика полупроводниковых...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алексеев, А. Н.
Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Хлюстов, П. М.
Многокластерная нанотехнологическая установка для исследования и изготовления микросхем и функцио...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167