Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Леденцов, Н. Н.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
<< назад | 1 | 2 | 3 | 4 | вперед >>

Статья
Максимов, М. В.
Исследование квантово-размерных гетероструктур методом спектроскопии селективного возбуждения люм...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Егоров, А. Ю.
Выращивание квантово-размерных гетероструктур (In,Ga) As/GaAs методом осаждения 'субмонослойных' ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Леденцов, Н. Н.
Влияние условий термической обработки на морфологию поверхности арсенида галлия, выращенного на в...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Голубок, А. О.
Формирование массивов фасеток на вицинальных поверхностях GaAs(100) при молекулярно-пучковой эпит...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Максимов, М. В.
Оптические исследования GaAs/AlAs структур с изолированными кластерами GaAs, выращенных на поверх...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Егоров, А. Ю.
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Леденцов, Н. Н.
Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Черкашин, Н. А.
Управление параметрами массивов квантовых точек InAs-GaAs в режиме роста Странского-Крастанова / ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Семенова, Е. С.
Метаморфные моделированно-легированные гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs с высокой подвижность...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Жуков, А. Е.
Метаморфные лазеры спектрального диапазона 1.3мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитак...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Малеев, Н. А.
Конструкция и технология изготовления вертикально излучающих лазеров с непроводящими эпитаксиальн...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Новиков, И. И.
Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излуча...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Брунков, П. Н.
Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Жмерик, В. Н.
Легирование ZnSe с помощью высокоэффективного источника азота в процессе молекулярно-пучковой эпи...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Егоров, А. Ю.
Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs и GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Егоров, А. Ю.
Формирование вертикально совмещенных массивов напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs(100)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Идентификация каналов излучательной рекомбинации в структурах с квантовыми точками
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Фотолюминесценция массивов вертикально связанных напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs(...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алферов, Ж. И.
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантоворазмерных (Al,Ga)As ДГС...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алферов, Ж. И.
(Al,Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см2) и 0.73 мкм (350 А/см2) с легированной к...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алферов, Ж. И.
(In, Ga, Al) As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga) As напряженной квантовой ямой, ог...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алферов, Ж. И.
Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в 9Al, Ga)As-GaAs-гетерострукту...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Копьев, П. С.
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижно...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Копьев, П. С.
Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах / Кра...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Жуков, А. Е.
Лазерная генерация на длине волны 175мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs / Ни...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Егоров, В. А.
Si/Ge наноструктуры для применений в оптоэлектронике / Материалы совещания
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Карачинский, Л. Я.
Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Максимов, М. В.
Мощные лазеры на квантовых точках InAs-InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Крыжановская, Н. В.
Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InxGa(1-x)A...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Максимов, М. В.
Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квант...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167