Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Коньков, О. И.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
![](http://elcat.lib.misis.ru/vmsua5379ghkip/app/webroot/img//progress.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Атаев, Ж.
Влияние технологии приготовления пленок a-Si:H на излучательную рекомбинацию
б.г.
ISBN отсутствует
Атаев, Ж.
Влияние технологии приготовления пленок a-Si:H на излучательную рекомбинацию
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Бугаев, А. А.
Нелинейное поглощение пикосекундного импульса в d-SI:H / Полупроводники. Диэлектрики
б.г.
ISBN отсутствует
Бугаев, А. А.
Нелинейное поглощение пикосекундного импульса в d-SI:H / Полупроводники. Диэлектрики
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Теруков, Е. И.
Образование преципитатов бета-FeSi2 в монокристаллическом Si
б.г.
ISBN отсутствует
Теруков, Е. И.
Образование преципитатов бета-FeSi2 в монокристаллическом Si
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Теруков, Е. И.
Электролюминесценция эрбия в p-i-n- структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Теруков, Е. И.
Электролюминесценция эрбия в p-i-n- структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Коньков, О. И.
Проводимость и структура пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием a-Si:H(Er)
б.г.
ISBN отсутствует
Коньков, О. И.
Проводимость и структура пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием a-Si:H(Er)
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Голикова, О. А.
Пленки аморфного гидрированного кремния, осажденные при повышенных температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Пленки аморфного гидрированного кремния, осажденные при повышенных температурах
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Константинов, А. О.
Пассивация кристаллического карбида кремния в водородной плазме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Константинов, А. О.
Пассивация кристаллического карбида кремния в водородной плазме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Бабаев, А. А.
Изменение свойств пленок аморфного гидрированного карбида кремния a-Si(1-x)Cx:H в результате отжига
б.г.
ISBN отсутствует
Бабаев, А. А.
Изменение свойств пленок аморфного гидрированного карбида кремния a-Si(1-x)Cx:H в результате отжига
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Коньков, О. И.
Получение и свойства пленок низкотемпературного тетраэдрического аморфного углерода
б.г.
ISBN отсутствует
Коньков, О. И.
Получение и свойства пленок низкотемпературного тетраэдрического аморфного углерода
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Приходько, А. В.
Углеродные наноструктуры как пример самоорганизованной критичности
б.г.
ISBN отсутствует
Приходько, А. В.
Углеродные наноструктуры как пример самоорганизованной критичности
б.г.
ISBN отсутствует