Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Путято, М. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Берт, Н. А.
Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия и ее изменение при отжиге в интервале ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Влияние изовалентного легирования индием на избыток мышьяка в арсениде галлия, выращиваемом метод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Сверхрешетка кластеров мышьяка в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащей кластеры мышь...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вилисова, М. Д.
Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой те...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Фалеев, Н. Н.
Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs-GaAs, выращенных молекуляр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, в...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Преображенский, В. В.
Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста / А...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вилисова, М. Д.
Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ато...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Аккумуляция основных носителей заряда в слоях GaAs, содержащих наноразмерные кластеры мышьяка / Н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бобровникова, И. А.
Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки A и B арсенида галли...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вилисова, М. Д.
Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекуля...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия / Электронные и о...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Исследование центров рекомбинации, связанных с наноразмерными кластерами As-Sb в низкотемпературн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными класте...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бойцов, А. В.
Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бойцов, А. В.
Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой те...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой т...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Путято, М. А.
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках S...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Неведомский, В. Н.
Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой э...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответс...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Неведомский, В. Н.
Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лукин, П. В.
Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Абрамкин, Д. С.
Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку