Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Бочкарева, Н. И.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Бочкарева, Н. И.
Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотем...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии с...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si/SiO2 на проводимость п...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
О природе 'аномальных' DLTS-спектров в монокристаллах германия с дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Поверхностная проводимость и релаксация емкости границ зерен в бикристаллах n-Ge
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Емкостная спектроскопия германия с ростовыми дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов / Физи...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN-с...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов / Физика полупроводнико...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ефремов, А. А.
Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур / Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ефремов, А. А.
Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InG...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми яма...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Леликов, Ю. С.
Измерение коэффициента поглощения света, распространяющегося латерально в светодиодных структурах...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN при высокой плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бочкарева, Н. И.
Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167