Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Яковлев, Ю. П.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

<< назад | 1 | 2 | 3 | 4 | вперед >>

Статья
Титков, А. Н.
Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Пространственное распределение излучения в дальней зоне мезаполосковых лазеров на основе InAsSb/I...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, А. П.
Пространственные колебания потока излучения в полосковых лазерах на основе гетеропереходов InAsSb...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела /...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Романов, В. В.
Разъединенный гетеропереход II-типа GaSb1-xAsx/InAs (x < 0.15): эволюция зонной энергетической ди...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Соловьев, В. А.
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур / Атомная структура и неэлектр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андаспаева, А. А.
Рекомбинация в области гетероперехода N-n-GaSb/GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Емельяненко, О. В.
Роль Д.Н. Наследова в становлении и развитии физики и техники полупроводников A(валентность III)В...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Роль свинца при выращивании твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y методом жидкофазной эпитаксии / Эл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6-4.4 мкм ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Именков, А. Н.
Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами / Физика полупроводниковых ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гребенщикова, Е. А.
Свойства светодиодов на основе GaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAsSb, выращенных методом газофаз...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баранов, А. Н.
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Сглаживание фазовой динамической диэлектрической решетки в диодном лазере и получение одномодовой...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Именков, А. Н.
Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров на основе InAsSb/InAsSbP при ни...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Попов, А. А.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 м...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, И. А.
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чарыков, Н. А.
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники. I. Термодинами...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кабанов, В. В.
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2,0- 2,...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гребенщикова, Е. А.
Трансформация коротковолновой полосы излучения двухзарядного природного акцептора в длинноволнову...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Афраилов, М. А.
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Именков, А. Н.
Уширение линии генерации в перестраиваемых током лазерах на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb/...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кулакова, Л. А.
Физические свойства сплава Si20Te80 с различной степенью структурного совершенства и его применен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsS...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Стоянов, Н. Д.
Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Фотолюминесценция твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (0.08<x<0.22), изопериодных с InAs / Электро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку