Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Жиляев, Ю. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Ботнарюк, В. М.
Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов GaN/Si / Полупроводниковые структуры, границ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ботнарюк, В. М.
Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In(Au)/Si / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ботнарюк, В. М.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP / Полупроводниковые структуры, границы раздела...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ботнарюк, В. М.
Сульфидная пассивация силовых GaAs-диодов / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверх...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Жиляев, Ю. В.
Исследование поляризованной фотолюминесценции толстых эпитаксиальных слоев GaN / Электронные и оп...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Евстропов, В. В.
Туннельно-избыточных ток в невырожденных барьерных р-n- и m-s-структурах АIIIBV на Si
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Компан, М. Е.
Поляризационно-зависимое неоднородное уширение полосы краевой люминесценции гексагонального нитри...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бельков, В. В.
Микроструктура объемного GaN, выращенного на сапфировых подложках с аморфным буфером / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бессолов, В. Н.
Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки / Полупроводниковые структуры, границы р...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Евстропов, В. В.
Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP /...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Евстропов, В. В.
Эпитаксиальные p-n-структуры из GaAs на Si-подложках: электрические, фотоэлектрические и электрол...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Евстропов, В. В.
Электролюминесценция эпитаксиальных GaP p-n-структур, выращенных на Si-подложках
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Евстропов, В. В.
Электрические свойства эпитаксиальных p-n-структур из GaP на Si-подложках
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Жиляев, Ю. В.
Поляризационная фоточувствительность эпитаксиальных GaP-структур на Si-gjlkj;rf[
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Беркелиев, А.
Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Жиляев, Ю. В.
Фоточувствительность и наведенный фотоплеохроизм двухбарьерных структур Au-n-GaP/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Евстропов, В. В.
Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных Au-n-GaP структур на Si подложках / Краткие соо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Жиляев, Ю. В.
Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бессолов, В. Н.
Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитакси...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акимов, А. В.
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Жиляев, Ю. В.
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниев...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акимов, А. В.
Экспериментальное наблюдение дырок в n-GaAs, высвободившихся в результате оже-распада локализован...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку