Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Савельев, И. Г.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Крещук, А. М.
Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ле Туан
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раство...
б.г.
ISBN отсутствует
Ле Туан
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раство...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крещук, А. М.
'Гашение' замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
'Гашение' замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берт, Н. А.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Берт, Н. А.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует