Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Савкина, Н. С.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Статья
Савкина, Н. С.
Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карб...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, А. М.
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Эпитаксиальные пленки 6H-SiC как детекторы ядерных частиц / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Радиационные эффекты в n-6H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ / Атомная структура и неэл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Савкина, Н. С.
Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Строкан, Н. Б.
Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Строкан, Н. Б.
Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Исследование динисторных структур на основе SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Электролюминесценция 6H-SiCp-n-структур, легированных алюминием
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Давыдов, С. Ю.
Простая модель для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Строкан, Н. Б.
Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 М...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2024  v.20.167