Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Падалица, А. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Падалица, А. А.
Получение гетерокомпозиций InAs0,83Sb0,17/GaAs, пригодных для создания матричных фотоприемников н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Залевский, И. Д.
Выращивание квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs для фотоприемников, работающих в спектральном ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куликов, В. Б.
Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ладугин, М. А.
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Телегин, К. Ю.
Исследование влияния температуры роста квантово-размерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs на их из...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку