Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Капитонов, В. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Вавилова, Л. С.
Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Оптические исследования квантовых точек InP / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом / Атомная струк...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Самоорганизующиеся наноразмерные кластеры InP в матрице InGaP/GaAs и InAs в матрице InGaAs/InP / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вавилова, Л. С.
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP- структуры с модулированным составом / Полупроводни...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вавилова, Л. С.
Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических структу...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вавилова, Л. С.
Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вавилова, Л. С.
Оптические и структурные свойства твердых растворов InGaAsP, полученных способом МОС-гидридной эп...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные лазеры(лямбда = 940-980 нм) на основе ассиметричной GaInAs/GaInAsP/AlGaAs / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (гамма = 1.10-1.8 мкм) в импульсном режиме г...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на дл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку