Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Тарасов, И. С.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
<< назад | 1 | 2 | 3 | вперед >>

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пихтин, Н. А.
Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баженов, Н. Л.
Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах / Физика полупроводниковых пр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Домашевская, Э. П.
Инфракрасные спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Болтовец, Н. С.
Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx в СВЧ диодах диапазона 7...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные лазеры(лямбда = 940-980 нм) на основе ассиметричной GaInAs/GaInAsP/AlGaAs / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Слипченко, С. О.
Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности пол...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Нелинейно-оптические эффекты в полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетерострук...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (гамма = 1.10-1.8 мкм) в импульсном режиме г...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лютецкий, А. В.
Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воробьев, Л. Е.
Концентрация и температура носителей заряда в квантовых ямах лазерных гетероструктур в режимах сп...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Середин, П. В.
Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Домашевская, Э. П.
Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых рас...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Слипченко, С. О.
О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетерост...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Слипченко, С. О.
Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Середин, П. В.
Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (10...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Середин, П. В.
Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Петрунов, А. Н.
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167