Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Тарасов, И. С.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | 3 | вперед >>

Статья
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пихтин, Н. А.
Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантоворазмерных лазерах на основе твердых растворо...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Слипченко, С. О.
Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри-Перо
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Слипченко, С. О.
Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри-Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лютецкий, А. В.
Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соколова, З. Н.
Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупров...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пихтин, Н. А.
Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Гордеев, Н. Ю.
Волноводные фотоприемники в системе InGaAsP/InP для измерения автокорреляционных функций излучени...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соколова, З. Н.
Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (1.5 - ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Домашевская, Э. П.
Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / По...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соколова, З. Н.
Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кабанов, В. В.
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Петрунов, А. Н.
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Домашевская, Э. П.
Инфракрасные спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Середин, П. В.
Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зегря, Г. Г.
Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (лямбда=1.55 мкм) / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Слипченко, С. О.
Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности пол...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Болтовец, Н. С.
Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx в СВЧ диодах диапазона 7...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167