Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Пихтин, Н. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алуев, А. В.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пихтин, Н. А.
Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантоворазмерных лазерах на основе твердых растворо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри-Перо
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри-Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пихтин, Н. А.
Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гордеев, Н. Ю.
Волноводные фотоприемники в системе InGaAsP/InP для измерения автокорреляционных функций излучени...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Петрунов, А. Н.
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зегря, Г. Г.
Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (лямбда=1.55 мкм) / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности пол...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на дл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные лазеры(лямбда = 940-980 нм) на основе ассиметричной GaInAs/GaInAsP/AlGaAs / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных InGaAsP/InP-гетероструктур (лямбда ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (гамма = 1.10-1.8 мкм) в импульсном режиме г...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку