Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Мармалюк, А. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Падалица, А. А.
Получение гетерокомпозиций InAs0,83Sb0,17/GaAs, пригодных для создания матричных фотоприемников н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Нитрид галлия - перспективный материал электронной техники. Ч.1. Фундаментальные свойства нитрида...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Залевский, И. Д.
Выращивание квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs для фотоприемников, работающих в спектральном ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Косарев, А. М.
Компьютерный расчет равновесных фаз при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga(C2H5)-AsH3-H2O-H2 ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Косарев, А. М.
Кинетика роста эпитаксиальных слоев GaAs в системе триэтилгаллий-арсин-водород в горизонтальном р...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Косарев, А. М.
Термодинамический расчет распределения кислорода при получении эпитаксиальных слоев AlxGa(1-x)As ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мармалюк, А. А.
Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / Материаловедение и технология. Полупроводники
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мармалюк, А. А.
Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Материаловедение и технология. Полупроводники
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мармалюк, А. А.
Закономерности образования трехкомпонентных твердых растворов в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мармалюк, А. А.
Получение четырехкомпонентных твердых растворов методом МОС-гидридной эпитаксии / Материаловедени...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние упругих напряжений на сегрегацию индия в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ладугин, М. А.
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Телегин, К. Ю.
Исследование влияния температуры роста квантово-размерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs на их из...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Арбенина, В. В.
Травление смесью HNO3 + HCl + глицерин слоев металлизации на гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Арбенин, Д. Е.
Выбор условий для выращивания нелегированных и легированных слоев GaAs с использованием эмпиричес...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку