Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Ильинская, Н. Д.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Иванов, П. А.
Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-Sic-диодов с барьером Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-Sic-диодов с барьером Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Васильев, Ю. Б.
Высокочувствительный субмиллиметровый фотоприемник на основе InSb
б.г.
ISBN отсутствует
Васильев, Ю. Б.
Высокочувствительный субмиллиметровый фотоприемник на основе InSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сошников, И. П.
Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Сошников, И. П.
Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильинская, Н. Д.
Осциллирующее магнитопоглощение многослойных квантово-размерных структур
б.г.
ISBN отсутствует
Ильинская, Н. Д.
Осциллирующее магнитопоглощение многослойных квантово-размерных структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Закгейм, А. Л.
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует
Закгейм, А. Л.
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует