Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Матвеев, Б. А.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:


Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений А3В5
б.г.
ISBN отсутствует
Айдаралиев, М. Ш.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений А3В5
б.г.
ISBN отсутствует






Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует





Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует






Статья
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Бреслер, М. С.
Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/In
б.г.
ISBN отсутствует
Бреслер, М. С.
Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/In
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Закгейм, А. Л.
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует
Закгейм, А. Л.
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Левин, Р. В.
Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует
Левин, Р. В.
Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует