Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Пагава, Т. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Пагава, Т. А.
Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Башелейшвили, З. В.
Влияние внешнего электрического поля и энергии облучения на эффективность образования пар Френкел...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Зависимость кинетики отжига А-центов и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в крис...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Энергия миграции вакансий в кристаллах кремния p-типа / Атомная структура и неэлектронные свойств...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si / Электронные и оптические сво...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристал...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах эта-Si
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пагава, Т. А.
Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167