Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Ребане, Ю. Т.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Доступно
7 из 7

Книга

Широкозонные полупроводники: учеб. пособие для студ. вузов напр. 'Техн. физика'

Серия: Новые разделы физики полупроводников

Наука, 2001 г.
ISBN 5-02-024959-9
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Шретер, Ю. Г.
Кинетический механизм развития поверхностных неустойчивостей при травлении, коррозии и росте упру...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ребане, Ю. Т.
Новые типы солнечных элементов на основе структур с переменной шириной запрещенной зоны
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов / Физи...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN-с...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов / Физика полупроводнико...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ефремов, А. А.
Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур / Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ефремов, А. А.
Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InG...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми яма...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Леликов, Ю. С.
Измерение коэффициента поглощения света, распространяющегося латерально в светодиодных структурах...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN при высокой плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN - светодиодов с ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку