Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Лешко, А. Ю.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Голикова, Е. Г.
Свойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных InGaAsP/InP-гетероструктур (лямбда ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP/...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные лазеры(лямбда = 940-980 нм) на основе ассиметричной GaInAs/GaInAsP/AlGaAs / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алуев, А. В.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри-Перо
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерям...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри-Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Васильева, В. В.
Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Золотарев, В. В.
Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку