Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
1 из 1
Доступно
1 из 1
Доступно
10 из 10
Доступно
3 из 3
Доступно
5 из 5
Доступно
1 из 1
Доступно
5 из 5
Доступно
1 из 1
Доступно
5 из 5
Доступно
1 из 1
Доступно
1 из 1
Доступно
1 из 1
Доступно
1 из 1
Доступно
1 из 1
Доступно
1 из 1
Доступно
5 из 5
Сушков, В. П.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Доступно
1 из 1
Автореферат
Голованов, Ю. А.
Разработка эпитаксиальных структур твердых растворов In1-хGaхР и In1-хGaxAs1Py для излучающих при...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06
1987 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Голованов, Ю. А.
Разработка эпитаксиальных структур твердых растворов In1-хGaхР и In1-хGaxAs1Py для излучающих при...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06
1987 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Диссертация
Голованов, Ю. А.
Разработка эпитаксиальных структур твердых растворов In1-хGaхР и In1-хGaxAs1Py для излучающих при...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06
1985 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Голованов, Ю. А.
Разработка эпитаксиальных структур твердых растворов In1-хGaхР и In1-хGaxAs1Py для излучающих при...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06
1985 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
10 из 10
Книга
Методика определения параметров тонких пленок и эпитаксиальных слоев: лаб. практикум для студ. напр. 550700, 551600, 553100 и спец. 200110, 200200
Учеба, 1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Методика определения параметров тонких пленок и эпитаксиальных слоев: лаб. практикум для студ. напр. 550700, 551600, 553100 и спец. 200110, 200200
Учеба, 1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
3 из 3
Книга
Ермаков, О. Н.
Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы
Радио и связь, 1990 г.
ISBN 5-256-00736-X
Библиотека МИСиС : Научный
Ермаков, О. Н.
Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы
Радио и связь, 1990 г.
ISBN 5-256-00736-X
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
5 из 5
Книга
Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Разд.: Оптоэлектронные преобразователи ...: Курс лекций для студ. напр. 550700 и спец. 651400
Учеба, 2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Разд.: Оптоэлектронные преобразователи ...: Курс лекций для студ. напр. 550700 и спец. 651400
Учеба, 2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Диссертация
Образцов, А. А.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюм...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология полупроводников и материалов электронной
[Б.и.], 2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Образцов, А. А.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюм...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология полупроводников и материалов электронной
[Б.и.], 2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
5 из 5
Книга
Кузнецов, Г. Д.
Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике: Лаб. практикум для студ. направления 550700 и спец. 654100
Учеба, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Кузнецов, Г. Д.
Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике: Лаб. практикум для студ. направления 550700 и спец. 654100
Учеба, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Автореферат
Образцов, А. А.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюм...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология полупроводников и материалов
[Б.и.], 2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Образцов, А. А.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюм...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология полупроводников и материалов
[Б.и.], 2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Статья
Наими, Е. К.
Влияние ультразвукового воздействия на характеристики светодиодов зеленого свечения на основе GaP...
б.г.
ISBN отсутствует
Наими, Е. К.
Влияние ультразвукового воздействия на характеристики светодиодов зеленого свечения на основе GaP...
б.г.
ISBN отсутствует
Доступно
5 из 5
Книга
Сушков, В. П.
Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектр...: учеб.-метод. пособие
Учеба, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Сушков, В. П.
Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектр...: учеб.-метод. пособие
Учеба, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Диссертация
Никифоров, С. Г.
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGa...: дис... к.т.н., спец. 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты,
[МИСиС], 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Никифоров, С. Г.
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGa...: дис... к.т.н., спец. 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты,
[МИСиС], 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Автореферат
Никифоров, С. Г.
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGa...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные
[МИСиС], 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Никифоров, С. Г.
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGa...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные
[МИСиС], 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Книга (аналит. описание)
Архипов, А. Л.
Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует
Архипов, А. Л.
Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Ермошин, И. Г.
Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентге...
б.г.
ISBN отсутствует
Ермошин, И. Г.
Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентге...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Наими, Е. К.
Влияние ультразвукового воздействия на деградацию InGaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
Наими, Е. К.
Влияние ультразвукового воздействия на деградацию InGaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Рабинович, О. И.
Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Рабинович, О. И.
Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Доступно
1 из 1
Диссертация
Рабинович, О. И.
Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомп...: дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
[МИСиС], 2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Рабинович, О. И.
Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомп...: дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
[МИСиС], 2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Автореферат
Рабинович, О. И.
Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомп...: автореф. дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
[МИСиС], 2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Рабинович, О. И.
Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомп...: автореф. дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
[МИСиС], 2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Диссертация
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников,
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников,
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
1 из 1
Автореферат
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства
[МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
5 из 5
Книга
Сушков, В. П.
Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники. Компьютерное моделирование опто...: учебно-метод. пособие
Изд-во МИСиС, 2012 г.
ISBN 978-5-87623-565-7
Библиотека МИСиС : Научный
Сушков, В. П.
Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники. Компьютерное моделирование опто...: учебно-метод. пособие
Изд-во МИСиС, 2012 г.
ISBN 978-5-87623-565-7
Библиотека МИСиС : Научный