Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
2 из 2
Емцев, В. В.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Емцев, В. В.
Некоторые особенности переноса основных носителей заряда в III-V-нитридах / Физические свойства и...
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Некоторые особенности переноса основных носителей заряда в III-V-нитридах / Физические свойства и...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Примесные центры в кремнии, легированном редкоземельными примесями диспрозием, гольмием, эрбием и...
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Примесные центры в кремнии, легированном редкоземельными примесями диспрозием, гольмием, эрбием и...
б.г.
ISBN отсутствует
Доступно
2 из 2
Книга
Емцев, В. В.
Примеси и точечные дефекты в полупроводниках
Радио и связь, 1981 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Емцев, В. В.
Примеси и точечные дефекты в полупроводниках
Радио и связь, 1981 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Статья
Астрова, Е. В.
Деградация фотолюминеcценции пористого кремния под действием гамма-облучения 60Co
б.г.
ISBN отсутствует
Астрова, Е. В.
Деградация фотолюминеcценции пористого кремния под действием гамма-облучения 60Co
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Быковский, В. А.
Излучательная рекомбинация в германии, облученном реакторными нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Быковский, В. А.
Излучательная рекомбинация в германии, облученном реакторными нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голубев, В. Г.
Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Голубев, В. Г.
Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Аннигиляция пар Френкеля в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Аннигиляция пар Френкеля в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
'Новые доноры' в термообработанном кремнии с изоэлектронной примесью германия
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
'Новые доноры' в термообработанном кремнии с изоэлектронной примесью германия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Донорные центры в Cz-Si с примесью магния, введенной методом ядерных трансмутаций
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Донорные центры в Cz-Si с примесью магния, введенной методом ядерных трансмутаций
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Александров, О. В.
Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Александров, О. В.
Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при 'горячем' гамма-облучении / Краткие с...
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при 'горячем' гамма-облучении / Краткие с...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Влияние условий электронного облучения на скорость образования А-центров в n-кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Влияние условий электронного облучения на скорость образования А-центров в n-кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Проявление пар Френкеля в р-германии при низкотемпературном гамма-облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Проявление пар Френкеля в р-германии при низкотемпературном гамма-облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 при гамма-облучении / Полупроводник...
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 при гамма-облучении / Полупроводник...
б.г.
ISBN отсутствует