Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Новиков, С. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Воробьева, В. В.
Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов-расплавов в галлии и висмуте ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Быканов, Д. Д.
Слабополевое магнитосопротивление двумерных электронов в гетероструктурах In0.53Ga0.47As/InP в ре...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Новиков, В. К.
Автоматизированный передвижной детоксикационный комплекс / Инженерные решения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
5 из 5

Книга
Новиков, С. В.
Всеобщая история: Учеб. пособие для студ. вузов и абитуриентов
Изд-во АСТ, 1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Крещук, А. М.
Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Новиков, С. В.
Изменение структуры и свойств композиционных материалов на основе кубического нитрида бора при эл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Черкашин, Н. А.
Структурные изменения с помощью просвечивающей электронной микроскопии нелегированного и легирова...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Нарва, В. К.
Электроимпульсное прессование карбидосталей / Новые металлические материалы и процессы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Быканов, Д. Д.
Слабая антилокализация и спин-орбитальное взаимодействие в квантовой яме In0.53Ga0.47As/InP в реж...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga-Bi растворов-расплавов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бер, Б. Я.
Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Крещук, А. М.
Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Быстров, С. Д.
Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных ге...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ле Туан
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раство...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверин, С. В.
Фотодиодные МПМ структуры с низкой величиной плотности темнового тока
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Быстров, С. Д.
Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs, в...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дроздов, С. В.
Квантовые нити с управляемой шириной проводящего канала на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Крещук, А. М.
'Гашение' замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Крещук, А. М.
Влияние сильного электрического поля на свойства неравновесного двумерного электронного газа в не...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Cheng, T. S.
Эффекты нитридирования поверхности подложек LiGaO2 в молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дроздов, С. В.
Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дроздов, С. В.
Эллипсометрическое исследование эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAs и InAlAs, изопериод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воробьева, В. В.
Изучение переходной области между эптаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бирюлин, Ю. Ф.
Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью - висмутом и акцепторной примесью ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Денисов, В. Н.
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андрианов, А. В.
Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия, легированн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Башлыкова, Т. В.
Перспективы информационно-технологического развития процессов радиометрического обогащения полезн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку