Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Именков, А. Н.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андаспаева, А. А.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Андаспаева, А. А.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Неоднородности генерации в заращенных канальных лазерах с активной областью p-GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Неоднородности генерации в заращенных канальных лазерах с активной областью p-GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баранов, А. Н.
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Баранов, А. Н.
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует