Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Дроздов, М. Н.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Андреев, А. Ю.
Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучев...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воробьев, А. К.
Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O при ионном р...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Дроздов, Ю. Н.
Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs/GaAs в условиях газофазной эпитаксии / Низко...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Шмагин, В. Б.
Влияние характера пробоя p-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминес...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Дроздов, Ю. Н.
Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев CaN / Атомная структура ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данильцев, В. М.
Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN / Электронные и оптич...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Пряхин, Д. А.
Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs / Полупроводниковые структуры, границы разд...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Хрыкин, О. И.
Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Востоков, Н. В.
Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Антонов, А. В.
Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мк...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Красильникова, Л. В.
Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Si1-xGe:Er/S...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Шмагин, В. Б.
Электролюминесценция ионов Er3+ в режиме пробоя диодной структуры p+-Si/n:-Si:Er/n+-Si / Материал...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Шашкин, В. И.
Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N)...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Молдавская, Л. Д.
Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Дроздов, М. Н.
Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Котков, А. П.
Получение двухслойных эпитаксиальных структур на основе твердого раствора системы Cd-Hg-Te комбин...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сенников, П. Г.
Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафто...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Дроздов, М. Н.
Использование кластерных вторичных ионов Ge-2, Ge-3 для повышения разрешения по глубине при посло...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кузнецов, В. П.
Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si:Er/Si, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Дроздов, Ю. Н.
Анализ состава твердых растворов (Al, Ga) As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентге...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Антонов, А. В.
Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзо...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Звонков, Б. Н.
Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Байдусь, Н. В.
Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особен...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алешкин, В. Я.
Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Дроздов, М. Н.
Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эп...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Юнин, П. А.
Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167