Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Карандашев, С. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений А3В5
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники/ Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
'Иммерсионные' инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводн...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb) / Физика полупроводниковых...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Люминесценция лямбда=6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb / Полупроводниковые структуры...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP,...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Карандашев, С. А.
Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs / Полупроводниковые структуры, гр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb / Полупроводниковы...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ильинская, Н. Д.
Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бреслер, М. С.
Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/In
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0<=x<=0.16) ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Закгейм, А. Л.
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полу...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Карандашев, С. А.
Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале темпер...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (лямбда=3.0...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb / Физика полупроводниковых приб...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Карандашев, С. А.
Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2024  v.20.167