Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
1 из 2
Доступно
5 из 5
Новиков, С. В.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Новиков, В. К.
Автоматизированный передвижной детоксикационный комплекс / Инженерные решения
б.г.
ISBN отсутствует
Новиков, В. К.
Автоматизированный передвижной детоксикационный комплекс / Инженерные решения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Куницын, А. Е.
Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga-Bi растворов-расплавов
б.г.
ISBN отсутствует
Куницын, А. Е.
Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga-Bi растворов-расплавов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берт, Н. А.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Берт, Н. А.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Доступно
1 из 2
Книга
Новиков, С. В.
Всеобшая история: справочник студента
Изд-во АСТ, 1999 г.
ISBN 5-900411-56-7
Библиотека Горного : Научный ГИ, Научный читальный за...
Новиков, С. В.
Всеобшая история: справочник студента
Изд-во АСТ, 1999 г.
ISBN 5-900411-56-7
Библиотека Горного : Научный ГИ, Научный читальный за...
Заказать Доступно
5 из 5
Книга
Новиков, С. В.
Всеобщая история: Учеб. пособие для студ. вузов и абитуриентов
Изд-во АСТ, 1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Новиков, С. В.
Всеобщая история: Учеб. пособие для студ. вузов и абитуриентов
Изд-во АСТ, 1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Статья
Бер, Б. Я.
Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Бер, Б. Я.
Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крещук, А. М.
'Гашение' замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
'Гашение' замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Новиков, В. А.
Исследование и освоение процесса дефосфоризации в новой ДСП-120 "ОМЗ-Спецсталь"
б.г.
ISBN отсутствует
Новиков, В. А.
Исследование и освоение процесса дефосфоризации в новой ДСП-120 "ОМЗ-Спецсталь"
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ле Туан
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раство...
б.г.
ISBN отсутствует
Ле Туан
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раство...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крещук, А. М.
Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Новиков, В. А.
Термодинамические и кинетические особенности процесса десульфурации
б.г.
ISBN отсутствует
Новиков, В. А.
Термодинамические и кинетические особенности процесса десульфурации
б.г.
ISBN отсутствует