Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Моисеев, К. Д.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Журтанов, Б. Е.
Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb / Физика ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лагунова, Т. С.
Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктура...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Гетеропереходы II типа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Григорьев, М. М.
Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баженов, Н. Л.
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, С. В.
Инжекционный ИК лазер (лямбда=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb/CdM...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Григорьев, М. М.
Интерфейсная электролюминесценция в изотопном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной т...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Исследование структуры зоны проводимости в твердом растворе InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Магнитотранспорт в полуметаллическом канале в гетероструктурах p-Ga1-xInxAsxSb1-x/p-InAs с различ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереход...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых раствор...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе о...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Романов, В. В.
Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пархоменко, Я. А.
Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Особенности энергетического спектра и квантового магнетотранспорта в гетеропереходах II типа / Ни...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Именков, А. Н.
Перестраиваемые током лазеры на 3.3 мкм с узкой линией излучения / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела /...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Романов, В. В.
Разъединенный гетеропереход II-типа GaSb1-xAsx/InAs (x < 0.15): эволюция зонной энергетической ди...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Соловьев, В. А.
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур / Атомная структура и неэлектр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чарыков, Н. А.
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники. I. Термодинами...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsS...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Стоянов, Н. Д.
Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку