Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Шерстнев, В. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Статья
Данилова, А. П.
Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Нет экз.
Электронный ресурс
Седых, Л. В.
Детали машин и основы компьютерного конструирования (N 2771): лаб. практикум
[МИСиС], 2017 г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Диодно-лазерная спектроскопия в двух модах на основе лазера InAsSb/InAsSb вблизи длины волны 3.6м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилов, Т. Н.
Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Дисковые WGM-лазеры (лямбда = 3.0 мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрер...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бреслер, М. С.
Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением, в изотипной гетероструктуре p-...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, А. Н.
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Коротковолновая токовая перестройка лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, вызванная не...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Одномодовый перестраиваемый на 100 ангстрем лазер на основе InAsSb/InAsSbP (лямбда~3.2 мкм) / Физ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, А. Н.
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs(1-x-y)SbxPy/InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Астахова, А. П.
Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости p-...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Перестройка током длины волн излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb/InA...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Шерстнев, В. В.
Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Пространственное распределение излучения в дальней зоне мезаполосковых лазеров на основе InAsSb/I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Пространственные колебания потока излучения в полосковых лазерах на основе гетеропереходов InAsSb...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соловьев, В. А.
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур / Атомная структура и неэлектр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, А. Н.
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Попов, А. А.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кабанов, В. В.
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Именков, А. Н.
Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчуще...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Афраилов, М. А.
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167