Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Савкина, Н. С.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Савкина, Н. С.
Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карб...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, А. М.
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Эпитаксиальные пленки 6H-SiC как детекторы ядерных частиц / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Радиационные эффекты в n-6H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ / Атомная структура и неэл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Савкина, Н. С.
Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Строкан, Н. Б.
Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Строкан, Н. Б.
Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Н.
Исследование динисторных структур на основе SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Н.
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Электролюминесценция 6H-SiCp-n-структур, легированных алюминием
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аникин, М. М.
Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Давыдов, С. Ю.
Простая модель для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Строкан, Н. Б.
Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 М...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку