Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Яковлев, Ю. П.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
<< назад | 1 | 2 | 3 | 4 | вперед >>

Статья
Кулакова, Л. А.
Физические свойства сплава Si20Te80 с различной степенью структурного совершенства и его применен...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Именков, А. Н.
Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров на основе InAsSb/InAsSbP при ни...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Влияние примеси теллура на свойства твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (X>0.22) / Электронные и о...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Астахова, А. П.
Сглаживание фазовой динамической диэлектрической решетки в диодном лазере и получение одномодовой...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Астахова, А. П.
Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости p-...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Фотолюминесценция твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (0.08<x<0.22), изопериодных с InAs / Электро...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела /...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Именков, А. Н.
Уширение линии генерации в перестраиваемых током лазерах на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb/...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Астахова, А. П.
Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2,0- 2,...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Михайлова, М. П.
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Михайлова, М. П.
Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереход...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, А. Н.
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, А. Н.
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бреслер, М. С.
Излучательная рекомбинация на гетеропереходе II-типа n-GaInAsSb/N-GaSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Исследование структуры зоны проводимости в твердом растворе InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андаспаева, А. А.
Рекомбинация в области гетероперехода N-n-GaSb/GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Электрические свойства твердых растворов GaAlSb и GaAlSbAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Емельяненко, О. В.
Роль Д.Н. Наследова в становлении и развитии физики и техники полупроводников A(валентность III)В...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лагунова, Т. С.
Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктура...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, И. А.
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAsSb, выращенных методом газофаз...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Астахова, А. П.
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии / Физика полупроводник...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Стоянов, Н. Д.
Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 для медицинской диагностики и эколог...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе о...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167