Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Яковлев, Ю. П.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

<< назад | 1 | 2 | 3 | 4 | вперед >>

Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Магнитотранспорт в полуметаллическом канале в гетероструктурах p-Ga1-xInxAsxSb1-x/p-InAs с различ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GaInAsSb/InAs и GaInAsSb/GaSb / Эл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Журтанов, Б. Е.
Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Неоднородности генерации в заращенных канальных лазерах с активной областью p-GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереход...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии / Физика полупроводник...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, А. П.
Одномодовый перестраиваемый на 100 ангстрем лазер на основе InAsSb/InAsSbP (лямбда~3.2 мкм) / Физ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе о...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Именков, А. Н.
Перестраиваемые током лазеры на 3.3 мкм с узкой линией излучения / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости p-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Перестройка током длины волн излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb/InA...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Поведение примесей в твердых растворах p-GaInSbAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шерстнев, В. В.
Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баранов, А. Н.
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андаспаева, А. А.
Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку