Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Яковлев, Ю. П.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | 3 | 4 | вперед >>

Статья
Данилова, А. П.
Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Журтанов, Б. Е.
Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb / Физика ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лагунова, Т. С.
Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктура...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Влияние диффузии Te из подложки n-GaSb:Te на свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных в пр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Влияние примеси теллура на свойства твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (X>0.22) / Электронные и о...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Петухов, А. А.
Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических с...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Стоянов, Н. Д.
Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа n-GaSb/p-GaSb/n-GaInAs...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Стоянов, Н. Д.
Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 для медицинской диагностики и эколог...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, И. А.
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Гетеропереходы II типа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, А. П.
Диодно-лазерная спектроскопия в двух модах на основе лазера InAsSb/InAsSb вблизи длины волны 3.6м...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилов, Т. Н.
Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Дисковые WGM-лазеры (лямбда = 3.0 мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных м...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, И. А.
Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y с составом вблизи границы о...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баженов, Н. Л.
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бреслер, М. С.
Излучательная рекомбинация на гетеропереходе II-типа n-GaInAsSb/N-GaSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, С. В.
Инжекционный ИК лазер (лямбда=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb/CdM...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом га...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бреслер, М. С.
Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением, в изотипной гетероструктуре p-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец рас...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронина, Т. И.
Исследование структуры зоны проводимости в твердом растворе InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андаспаева, А. А.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баранов, А. Н.
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложк...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данилова, А. П.
Коротковолновая токовая перестройка лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, вызванная не...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, И. А.
Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку